Comparative high-k material gate spacer impact in DG-FinFET parameter variations between two structures

Bằng F. Roslan, Ameer, Salehuddin, F., M. Zain, A.S, Kaharudin, K.E, Ahmad, I., Hazura, H., Hanim, A.R, Idris, S.K
Được phát hành 2019

3D Double Gate FinFET Construction of 30 nm Technology Node Impact Towards Short Channel Effect

Bằng F. Roslan, Ameer, Salehuddin, F., M.Zain, A.S, Kaharudin, K.E, Hazura, H., Hanim, A.R, Idris, S. K, Zarina, B.Z, Maheran A.H, Afifah
Được phát hành 2018