Effect of Temperature on The Electron Concentration of Crystalline GaAs Semiconductor Based on The p-n Junction Due to Deformation Potential Scattering

Effect of Temperature on The Electron Concentration of Crystalline GaAs Semiconductor Based on The p-n Junction Due to Deformation Potential Scattering

The electrical characteristics of semiconductor materials can be predicted based on the transport of charge carriers within the material. Under room temperature, the electrical properties of semiconductor materials can be exploited by knowing the value of their electron mobility to predict the numbe...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Alviati, Nova (Tác giả), Hoiriyah, Samsiatun (Tác giả), Misto, Misto (Tác giả), Supriyanto, Edy (Tác giả)
Định dạng: EJournal Article
Được phát hành: Physics Department, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, University of Jember, 2019-05-02.
Những chủ đề:
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Peer-reviewed Article
Truy cập trực tuyến:Get Fulltext
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Internet

Get Fulltext

3rd Floor Main Library

Chi tiết quỹ từ 3rd Floor Main Library
Số hiệu: A1234.567
Sao chép 1 Sẵn có

Những quyển sách tương tự