3D Double Gate FinFET Construction of 30 nm Technology Node Impact Towards Short Channel Effect

This paper presents an investigation on properties of Double Gate FinFET (DGFinFET) and impact of physical properties of FinFET towards short channel effects (SCEs) for 30 nm device, where depletion-layer widths of the source-drain corresponds to the channel length aside from constant fin height (HF...

תיאור מלא

שמור ב:

מידע ביבליוגרפי
Main Authors:	F. Roslan, Ameer (Author), Salehuddin, F. (Author), M.Zain, A.S (Author), Kaharudin, K.E (Author), Hazura, H. (Author), Hanim, A.R (Author), Idris, S. K (Author), Zarina, B.Z (Author), Maheran A.H, Afifah (Author)
פורמט:	EJournal Article
יצא לאור:	Institute of Advanced Engineering and Science, 2018-12-01.
נושאים:	info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion
גישה מקוונת:	Get fulltext
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

אינטרנט

Get fulltext

3rd Floor Main Library

פרטי מלאי ספרים מ 3rd Floor Main Library
סימן המיקום:	A1234.567
עותק 1	זמין

3D Double Gate FinFET Construction of 30 nm Technology Node Impact Towards Short Channel Effect

אינטרנט

3rd Floor Main Library

פריטים דומים