3D Double Gate FinFET Construction of 30 nm Technology Node Impact Towards Short Channel Effect
This paper presents an investigation on properties of Double Gate FinFET (DGFinFET) and impact of physical properties of FinFET towards short channel effects (SCEs) for 30 nm device, where depletion-layer widths of the source-drain corresponds to the channel length aside from constant fin height (HF...
Збережено в:
| Автори: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Формат: | EJournal Article |
| Опубліковано: |
Institute of Advanced Engineering and Science,
2018-12-01.
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | Get fulltext |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Інтернет
Get fulltext3rd Floor Main Library
| Шифр: |
A1234.567 |
|---|---|
| Примірник 1 | Доступно |