3D Double Gate FinFET Construction of 30 nm Technology Node Impact Towards Short Channel Effect

3D Double Gate FinFET Construction of 30 nm Technology Node Impact Towards Short Channel Effect

This paper presents an investigation on properties of Double Gate FinFET (DGFinFET) and impact of physical properties of FinFET towards short channel effects (SCEs) for 30 nm device, where depletion-layer widths of the source-drain corresponds to the channel length aside from constant fin height (HF...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: F. Roslan, Ameer (Author), Salehuddin, F. (Author), M.Zain, A.S (Author), Kaharudin, K.E (Author), Hazura, H. (Author), Hanim, A.R (Author), Idris, S. K (Author), Zarina, B.Z (Author), Maheran A.H, Afifah (Author)
বিন্যাস: EJournal Article
প্রকাশিত: Institute of Advanced Engineering and Science, 2018-12-01.
বিষয়গুলি:
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
অনলাইন ব্যবহার করুন:Get fulltext
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

আন্তর্জাল

Get fulltext

3rd Floor Main Library

হোল্ডিংসের বিবরণ 3rd Floor Main Library
ডাক সংখ্যা: A1234.567
প্রতিলিপি 1 লভ্য

অনুরূপ উপাদানগুলি