3D Double Gate FinFET Construction of 30 nm Technology Node Impact Towards Short Channel Effect

This paper presents an investigation on properties of Double Gate FinFET (DGFinFET) and impact of physical properties of FinFET towards short channel effects (SCEs) for 30 nm device, where depletion-layer widths of the source-drain corresponds to the channel length aside from constant fin height (HF...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:	F. Roslan, Ameer (Հեղինակ), Salehuddin, F. (Հեղինակ), M.Zain, A.S (Հեղինակ), Kaharudin, K.E (Հեղինակ), Hazura, H. (Հեղինակ), Hanim, A.R (Հեղինակ), Idris, S. K (Հեղինակ), Zarina, B.Z (Հեղինակ), Maheran A.H, Afifah (Հեղինակ)
Ձևաչափ:	EJournal Article
Հրապարակվել է:	Institute of Advanced Engineering and Science, 2018-12-01.
Խորագրեր:	info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Առցանց հասանելիություն:	Get fulltext
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Համացանց

Get fulltext

3rd Floor Main Library

Պահումների մանրամասները 3rd Floor Main Library
Դասիչ:	A1234.567
Պատճեն 1	Հասանելի է

3D Double Gate FinFET Construction of 30 nm Technology Node Impact Towards Short Channel Effect

Համացանց

3rd Floor Main Library

Նմանատիպ նյութեր