3D Double Gate FinFET Construction of 30 nm Technology Node Impact Towards Short Channel Effect
This paper presents an investigation on properties of Double Gate FinFET (DGFinFET) and impact of physical properties of FinFET towards short channel effects (SCEs) for 30 nm device, where depletion-layer widths of the source-drain corresponds to the channel length aside from constant fin height (HF...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | EJournal Article |
| Wydane: |
Institute of Advanced Engineering and Science,
2018-12-01.
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | Get fulltext |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
Internet
Get fulltext3rd Floor Main Library
| Sygnatura: |
A1234.567 |
|---|---|
| Egzemplarz 1 | Dostępne |