3D Double Gate FinFET Construction of 30 nm Technology Node Impact Towards Short Channel Effect

3D Double Gate FinFET Construction of 30 nm Technology Node Impact Towards Short Channel Effect

This paper presents an investigation on properties of Double Gate FinFET (DGFinFET) and impact of physical properties of FinFET towards short channel effects (SCEs) for 30 nm device, where depletion-layer widths of the source-drain corresponds to the channel length aside from constant fin height (HF...

Full beskrivning

Sparad:
Bibliografiska uppgifter
Huvudupphovsmän: F. Roslan, Ameer (Författare, medförfattare), Salehuddin, F. (Författare, medförfattare), M.Zain, A.S (Författare, medförfattare), Kaharudin, K.E (Författare, medförfattare), Hazura, H. (Författare, medförfattare), Hanim, A.R (Författare, medförfattare), Idris, S. K (Författare, medförfattare), Zarina, B.Z (Författare, medförfattare), Maheran A.H, Afifah (Författare, medförfattare)
Materialtyp: EJournal Article
Publicerad: Institute of Advanced Engineering and Science, 2018-12-01.
Ämnen:
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Länkar:Get fulltext
Taggar: Lägg till en tagg
Inga taggar, Lägg till första taggen!

Internet

Get fulltext

3rd Floor Main Library

Beståndsuppgifter i 3rd Floor Main Library
Signum: A1234.567
Exemplar 1 Tillgänglig

Liknande verk