3D Double Gate FinFET Construction of 30 nm Technology Node Impact Towards Short Channel Effect

This paper presents an investigation on properties of Double Gate FinFET (DGFinFET) and impact of physical properties of FinFET towards short channel effects (SCEs) for 30 nm device, where depletion-layer widths of the source-drain corresponds to the channel length aside from constant fin height (HF...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	F. Roslan, Ameer (Tác giả), Salehuddin, F. (Tác giả), M.Zain, A.S (Tác giả), Kaharudin, K.E (Tác giả), Hazura, H. (Tác giả), Hanim, A.R (Tác giả), Idris, S. K (Tác giả), Zarina, B.Z (Tác giả), Maheran A.H, Afifah (Tác giả)
Định dạng:	EJournal Article
Được phát hành:	Institute of Advanced Engineering and Science, 2018-12-01.
Những chủ đề:	info:eu-repo/semantics/article info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Truy cập trực tuyến:	Get fulltext
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Internet

Get fulltext

3rd Floor Main Library

Chi tiết quỹ từ 3rd Floor Main Library
Số hiệu:	A1234.567
Sao chép 1	Sẵn có

3D Double Gate FinFET Construction of 30 nm Technology Node Impact Towards Short Channel Effect

Internet

3rd Floor Main Library

Những quyển sách tương tự