A comparison of performance between double-gate and gate-all-around nanowire MOSFET
Due to the rapid scaling of Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS), the structure of the planar MOSFET approaches the scaling limits when the short channel effects (SCEs) become the main problem. The Double-Gate and Gate-all-Around nanowire MOSFETs are said to be the promising candidate to r...
שמור ב:
Main Authors: | , , |
---|---|
פורמט: | EJournal Article |
יצא לאור: |
Institute of Advanced Engineering and Science,
2019-02-01.
|
נושאים: | |
גישה מקוונת: | Get fulltext |
תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
אינטרנט
Get fulltext3rd Floor Main Library
סימן המיקום: |
A1234.567 |
---|---|
עותק 1 | זמין |