Work function variations on electrostatic and RF performances of JLSDGM Device

Work function variations on electrostatic and RF performances of JLSDGM Device

This paper offers a systematic analysis on the impact of work function (WF) variations on electrostatic and radio frequency (RF) performances of nchannel junctionless strained double gate (DG) (n-JLSDGM) metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). The study has been performed under o...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Main Authors: E. Kaharudin, K K. (Author), Salehuddin, F. (Author), M. Zain, A. S. (Author), Roslan, Ameer F. (Author), Ahmad, I (Author)
פורמט: EJournal Article
יצא לאור: Institute of Advanced Engineering and Science, 2021-07-01.
נושאים:
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
גישה מקוונת:Get fulltext
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים

פריטים דומים