Work function variations on electrostatic and RF performances of JLSDGM Device
This paper offers a systematic analysis on the impact of work function (WF) variations on electrostatic and radio frequency (RF) performances of nchannel junctionless strained double gate (DG) (n-JLSDGM) metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). The study has been performed under o...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | EJournal Article |
| প্রকাশিত: |
Institute of Advanced Engineering and Science,
2021-07-01.
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | Get fulltext |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
আন্তর্জাল
Get fulltext3rd Floor Main Library
| ডাক সংখ্যা: |
A1234.567 |
|---|---|
| প্রতিলিপি 1 | লভ্য |