Work function variations on electrostatic and RF performances of JLSDGM Device

Work function variations on electrostatic and RF performances of JLSDGM Device

This paper offers a systematic analysis on the impact of work function (WF) variations on electrostatic and radio frequency (RF) performances of nchannel junctionless strained double gate (DG) (n-JLSDGM) metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). The study has been performed under o...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: E. Kaharudin, K K. (Հեղինակ), Salehuddin, F. (Հեղինակ), M. Zain, A. S. (Հեղինակ), Roslan, Ameer F. (Հեղինակ), Ahmad, I (Հեղինակ)
Ձևաչափ: EJournal Article
Հրապարակվել է: Institute of Advanced Engineering and Science, 2021-07-01.
Խորագրեր:
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Առցանց հասանելիություն:Get fulltext
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Համացանց

Get fulltext

3rd Floor Main Library

Պահումների մանրամասները 3rd Floor Main Library
Դասիչ: A1234.567
Պատճեն 1 Հասանելի է

Նմանատիպ նյութեր