Work function variations on electrostatic and RF performances of JLSDGM Device

Work function variations on electrostatic and RF performances of JLSDGM Device

This paper offers a systematic analysis on the impact of work function (WF) variations on electrostatic and radio frequency (RF) performances of nchannel junctionless strained double gate (DG) (n-JLSDGM) metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). The study has been performed under o...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Główni autorzy: E. Kaharudin, K K. (Autor), Salehuddin, F. (Autor), M. Zain, A. S. (Autor), Roslan, Ameer F. (Autor), Ahmad, I (Autor)
Format: EJournal Article
Wydane: Institute of Advanced Engineering and Science, 2021-07-01.
Hasła przedmiotowe:
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Dostęp online:Get fulltext
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Internet

Get fulltext

3rd Floor Main Library

Szczegóły zapisu 3rd Floor Main Library
Sygnatura: A1234.567
Egzemplarz 1 Dostępne

Podobne zapisy