Work function variations on electrostatic and RF performances of JLSDGM Device

Work function variations on electrostatic and RF performances of JLSDGM Device

This paper offers a systematic analysis on the impact of work function (WF) variations on electrostatic and radio frequency (RF) performances of nchannel junctionless strained double gate (DG) (n-JLSDGM) metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). The study has been performed under o...

Full beskrivning

Sparad:
Bibliografiska uppgifter
Huvudupphovsmän: E. Kaharudin, K K. (Författare, medförfattare), Salehuddin, F. (Författare, medförfattare), M. Zain, A. S. (Författare, medförfattare), Roslan, Ameer F. (Författare, medförfattare), Ahmad, I (Författare, medförfattare)
Materialtyp: EJournal Article
Publicerad: Institute of Advanced Engineering and Science, 2021-07-01.
Ämnen:
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Länkar:Get fulltext
Taggar: Lägg till en tagg
Inga taggar, Lägg till första taggen!

Internet

Get fulltext

3rd Floor Main Library

Beståndsuppgifter i 3rd Floor Main Library
Signum: A1234.567
Exemplar 1 Tillgänglig

Liknande verk