Work function variations on electrostatic and RF performances of JLSDGM Device
This paper offers a systematic analysis on the impact of work function (WF) variations on electrostatic and radio frequency (RF) performances of nchannel junctionless strained double gate (DG) (n-JLSDGM) metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). The study has been performed under o...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | EJournal Article |
| Được phát hành: |
Institute of Advanced Engineering and Science,
2021-07-01.
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | Get fulltext |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Internet
Get fulltext3rd Floor Main Library
| Số hiệu: |
A1234.567 |
|---|---|
| Sao chép 1 | Sẵn có |