Epitaxial Growth of Ge on Si by Magnetron Sputtering
Epitaxial growth of Ge on Si has received considerable attention for its compatibility with Si process flow and the scarcity of Ge compared with Si. Applications that drive the efforts for integrating Ge with Si include high mobility channel in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors, inf...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Ebooks |
| Được phát hành: |
IntechOpen,
2018-03-07.
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | Get Online |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Internet
Get Online3rd Floor Main Library
| Số hiệu: |
A1234.567 |
|---|---|
| Sao chép 1 | Sẵn có |