Built in Potential of a-Si:H Based p-i-n Solar Cell at Different Energy Gap of Intrinsic Layer

Built in Potential of a-Si:H Based p-i-n Solar Cell at Different Energy Gap of Intrinsic Layer

The photovoltaic process inside a solar cell can be described using the distribution of electrostatic potential in the material. In this paper, the magnitude of the electrostatic potential of the solar cell for the p-i-n junction type is analyzed as the built in potential due to the diffusion activi...

Πλήρης περιγραφή

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριοι συγγραφείς: Yuniarsih, Rahayu Setyo (Συγγραφέας), Misto, Misto (Συγγραφέας), Purwandari, Endhah (Συγγραφέας), Supriyadi, Supriyadi (Συγγραφέας), Supriyanto, Edi (Συγγραφέας)
Μορφή: EJournal Article
Έκδοση: Physics Department, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, University of Jember, 2018-11-10.
Θέματα:
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Peer-reviewed Article
Διαθέσιμο Online:Get Fulltext
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!

Διαδίκτυο

Get Fulltext

3rd Floor Main Library

Λεπτομέρειες τεκμηρίων από 3rd Floor Main Library
Ταξιθετικός Αριθμός: A1234.567
Αντίγραφο 1 Στη βιβλιοθήκη

Παρόμοια τεκμήρια